2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Delik İçinden TO-3P ((L)
Üretici:
Toshiba
Açıklama:
2SA1943-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Delik İçinden TO-3P ((L)
Kategoriler:
RF Transistörleri
Stokta var:
2000 adet
Fiyat:
Email us for details
Ödeme yöntemi:
T/T, Western Union
Özellikler
Tarih Kodu:
En yeni kod
Gönderen:
DHL/UPS/Fedex
Durum:
Yeni*Orijinal
Garanti:
365 gün
Kurşunsuz:
Rohs uyumlu
Teslimat süreleri:
Hemen Sevkiyat
Paket:
TO-3P-3
Montaj Tarzı:
Çukurdan
Tanıtım
2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Delik İçinden
| Toshiba | |
| Ürün kategorisi: | Bipolar Transistörler - BJT |
| RoHS: | Ayrıntılar |
| Çukurdan | |
| TO-3P-3 | |
| PNP | |
| Bekar | |
| 230 V | |
| 230 V | |
| 5 V | |
| 1.5 V | |
| 15 A | |
| 150 W | |
| 30 MHz | |
| - | |
| + 150 C | |
| 2SA | |
| Tabak | |
| Marka: | Toshiba |
| Sürekli koleksiyon akımı: | - 15 A. |
| DC kolektörü/Base Gain hfe Min: | 55 |
| DC Akım Kazancı hFE Max: | 160 |
| Yükseklik: | 26 mm |
| Uzunluk: | 20.5 mm |
| Ürün Türü: | BJT - Bipolar Transistörler |
| Alt kategori: | Transistörler |
| Teknoloji: | Evet. |
| Genişliği: | 5.2 mm |
| Birim ağırlığı: | 0.238311 oz |
Güç Güçlendirici Uygulamalar
• Yüksek kolektor voltajı: VCEO=-230 V (min)
• 2SC5200'e tamamlayıcı
• 100W yüksek sadakatli ses frekansı amplifikatörü çıkış aşaması için önerilmektedir.
Özellikler
- Üretici: Toshiba
- Transistör Tipi: NPN
- Paket Türü: TO-3PL
- Maksimum güç dağılımı: 150W
- Toplayıcı Emitter Voltajı (VCEO): 230V
- Maksimum kolektor akımı: 15A
- DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
- Sıklık: 30MHz
- Montaj Tipi: Delik İçin
- Çalışma sıcaklığı: 150°C TJ
- Parça Durumu: Eski
İlişkili Ürünler
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
2SC5200-O ((Q) Bipolar (BJT) Transistör NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Delik İçinden TO-3P ((L) |
2SC5200-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
|
RFQ gönder
stok:
2000PCS
MOQ:
1pcs
