JS28F512M29EWHA Flash - NOR Hafıza IC 512Mbit Paralel 110ns 56-TSOP Entegre devreler IC'ler
JS28F512M29EWHA Flash - NOR Hafıza IC 512Mbit Paralel 110ns 56-TSOP Entegre devreler IC'ler
| Mikron Teknolojisi | |
| Ürün kategorisi: | NOR Flash |
| SMD/SMT | |
| TSOP-56 | |
| M29EW | |
| 512 Mbit | |
| 2.3 V | |
| 3.6 V | |
| 50 mA | |
| Paralel | |
| 64 M x 8/32 M x 16 | |
| 8 bit/16 bit | |
| Asinkron | |
| - 40 C. | |
| + 85 C | |
| Tabak | |
| Marka: | Mikron |
| Bellek Tipi: | Hayır |
| Ürün Türü: | NOR Flash |
| Hız: | 110 ns |
| Standart: | Ortak Flash Arabirimi (CFI) |
| Alt kategori: | Bellek ve Veri Depolama |
| Tip: | Başlatma Bloku |
Özellikleri
●2Gb = yığılmış aygıt (iki 1Gb ölçek)
- Vcc= 2.7- 3.6V (program, sil, oku)
- VccQ= 1.65- -Vcc (1/0 tampon)
● Asinkron rastgele/ sayfa okuma
1 Sayfa boyutu: 16 kelime veya 32 bayt
1 sayfa erişimi: 25ns
- Rastgele erişim: 100ns (Güçlü BGA); 110ns (TSOP)
● Buffer programı: 512 kelimelik buffer programı
●Program süresi
一0.88us per byte (1.14 MB/s) TYP tam kullanıldığında
Buffer programında 512 kelimelik tampon boyutu
● Hafızanın örgütlenmesi
- Tek bir blok: her biri 128 Kbyte veya 64 Kword
●Program / sil kontrolörü
- Gömülü bayt (x8) / kelime (x16) programı algo-
Ritimler
●Program / silme askıya alma ve yeniden başlatma yeteneği
-Bir program sırasında başka bir bloktan oku
SUSPEND işlemi
- Bir silme sırasında başka bir bloğu okumak veya programlamak
SUSPEND işlemi
Silinen bir bloğu doğrulamak için BLANK CHECK işlevi
●Blok atma, blok silme, çip silme ve yazma
tampon yeteneği
- Hızlı tamponlu / seri programlama
- Hızlı bloklama/çip silme
●Vpp/WP# pin koruması
- Bloktan bağımsız olarak ilk veya son bloğu korur
koruma ayarları
Yazılım koruması
- Uçucu koruma
- Uçucu olmayan koruma
- Şifre koruması
1 Şifre erişimi
● Genişletilmiş hafıza bloğu
一128- kelime (256- bayt) blok kalıcı, güvenli
tanımlama
1 Fabrikada veya cihaz tarafından programlanmış veya kilitlenmiştir
müşteri
● Düşük güç tüketimi: Bekleme kipinde
●JESD47'ye uygun
一100Blok başına en az 1000 ERASE döngüsü
- Verilerin saklanması: 20 yıl (TYP)
65nm çok seviyeli hücre MLC) işlem teknolojisi
Paket
一56 tıklı TSOP, 14 x 20 mm
64 toplu güçlendirilmiş BGA, 13x 11mm
●Yeşil paketler mevcuttur
- RoHS uyumlu
- Halogensiz
● Çalışma sıcaklığı
- Çevre: - 40°C'den +85*C'ye kadar
Tel: +86-755-23606019
Adres: Oda 1205-1207, Nanguang binası, Huafu Yolu, Futian Bölgesi, Shenzhen, Guangdong, Çin
Laneya
Telefon: +86-13420902155
E-posta:sales@wisdtech.com.cn
Wechat:laneyatao66
WhatsApp: +8613420902155
Skype:sales@wisdtech.com.cn
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2
NT2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2K
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Entegre devreler
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volt 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
|
|
|
|
NT2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2KM2K |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
|
|
|
|
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Entegre devreler |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
|
